专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]钟表-CN201010159962.3无效
  • 神谷秀树 - 精工爱普生株式会社
  • 2010-04-01 - 2010-10-13 - G04F7/08
  • 钟表包括:秒钟CG轮(208),其具有秒钟CG轮轴(211)、以及固定于秒钟CG轮轴(211)并且通过回零杆(330)的压接而向预定位置旋转的心形凸轮(210);分钟CG轮(220),其具有分钟CG轮轴(225)、以及固定于分钟CG轮轴(225)并且通过回零杆(330)的压接而向预定位置旋转的心形凸轮(224);秒钟CG轴承部(810),其将秒钟CG轮轴(211)保持成能够旋转;以及分钟CG轴承部(820),其将分钟CG轮轴(225)保持成能够旋转,这些回零杆(330)、CG轮(208、220)以及CG轴承部(810、820)由金属玻璃合金形成。
  • 钟表
  • [实用新型]一种手机中框CG面定位工装-CN202320715790.6有效
  • 王孟哲;梁正南;赖勉力;李恩全 - 宁波九纵智能科技有限公司
  • 2023-04-04 - 2023-09-08 - B25B11/00
  • 本发明涉及手机中框定位工装技术领域,具体地说,涉及一种手机中框CG面定位工装。其包括用于布置气路的CG面定位底板,CG面定位底板的上端面处贴合布置有CG面吸头布置板,CG面吸头布置板的上端面处形成有CG面吸附位置,CG面吸头布置板处布置有多个与气路相连接的CG面吸嘴,多个CG面吸嘴共同配合对CG面吸附位置处的手机中框进行吸附。本发明通过多个CG面吸嘴共同配合以对手机中框进行吸附定位,CG面吸嘴能够较方便地通过气路进行控制,从而便于使用人员通过CG面定位工装以实现吸附和松开,也即吸料和放料。
  • 一种手机cg定位工装
  • [发明专利]存储单元区制作的方法-CN200910054546.4有效
  • 刘艳;李勇;周儒领;黄淇生;詹奕鹏 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2009-07-09 - 2011-01-12 - H01L21/8247
  • 本发明提供一种存储单元区制作的方法:在半导体衬底上依次形成FG氧化层、FG多晶硅层、ONO介质层、CG多晶硅层、CG氮化硅层、CG氧化硅层、CG氮化硅硬掩膜层;在所述CG氮化硅硬掩膜层上涂布光阻胶,并图案化该光阻胶,以该图案化的光阻胶为掩膜,依次刻蚀所述CG氮化硅硬掩膜层、CG氧化硅层、CG氮化硅层、CG多晶硅层和ONO介质层,形成CG;氮化所述FG多晶硅层后,在所形成的CG的两侧制成CG侧壁层;以CG侧壁层和CG为掩膜,刻蚀氮化的所述FG多晶硅层和FG氧化层,形成FG;在CG侧壁层和FG的外侧依次形成氧化层、沉积多晶硅膜,所述多晶硅膜最终将形成EG。
  • 存储单元制作方法
  • [发明专利]计时钟表-CN200780007396.0有效
  • 平谷荣一;上泽和成 - 精工爱普生株式会社
  • 2007-03-02 - 2009-03-25 - G04F7/08
  • 本发明的计时钟表(1)具有在平面方向分离的小时CG轮(25)、秒钟CG轮(40)和分钟CG轮(60),并且具有使这些小时CG轮(25)、秒钟CG轮(40)和分钟CG轮(60)大致同时机械地归零的飞返杆(飞返杆体(161)具有:使小时CG轮(25)和秒钟CG轮(40)归零的CG轮动作部(164)和秒钟CG轮动作部(165),分钟飞返杆(170)具有使分钟CG轮(60)归零的分钟CG轮动作部(172)。通过分钟飞返杆(170)的调整轴(167),来调整分钟CG轮动作部(172)相对小时CG轮动作部(164)和秒钟CG轮动作部(165)的位置。
  • 计时钟表
  • [发明专利]提高浮栅擦除效率的方法-CN200910083467.6有效
  • 李勇;刘艳;周儒领;黄淇生;詹奕鹏 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2009-05-06 - 2010-11-10 - H01L21/283
  • 本发明公开了一种提高浮栅擦除效率的方法,该方法包括:在半导体衬底上依次形成浮栅FG氧化层、FG多晶硅层、氧化层-氮化层-氧化层ONO介质层、控制栅CG多晶硅层、CG氮化硅层、CG氧化硅层、CG氮化硅硬掩膜层;在所述CG氮化硅硬掩膜层上涂布光阻胶,并图案化该光阻胶,以该图案化的光阻胶为掩膜,依次刻蚀所述CG氮化硅硬掩膜层、CG氧化硅层、CG氮化硅层、CG多晶硅层和ONO介质层,形成两个CG;在每个CG的两侧形成CG侧壁层;在所述CG侧壁层的外侧形成一牺牲层;以所述CG侧壁层、牺牲层以及CG为掩膜,刻蚀FG多晶硅层,形成FG;去除所述牺牲层;在CG侧壁层和FG的外侧依次形成氧化层、沉积多晶硅膜,所述多晶硅膜最终将形成擦除栅
  • 提高擦除效率方法

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